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光电耦合器SiO2悬臂与光纤之间酿成安静的化学键

时间:2019-05-23来源:未知 作者:admin点击:
实习中他们采用的SiN taper行动耦合器,光场从SiN波导中转换成SiO2悬臂的波导形式,进而再耦合到单模光纤中,其布局示妄图如下图所示。悬臂凸出一面的长度为10um,宽度从12um变为14um。 耦合封装是硅光产物大量量出产中的紧急合键之一。能否达成急速、低本钱

  实习中他们采用的SiN taper行动耦合器,光场从SiN波导中转换成SiO2悬臂的波导形式,进而再耦合到单模光纤中,其布局示妄图如下图所示。悬臂凸出一面的长度为10um,宽度从12um变为14um。

  耦合封装是硅光产物大量量出产中的紧急合键之一。能否达成急速、低本钱、高耦合成果的硅光芯片封装,直接决断了产物的比赛力。Rochester大学的新计划,其布局示妄图如下,

  比拟于现有的耦合封装计划(可参看硅光芯片的耦合封装),光纤熔接的措施显得非常浅易,既不须要非常的布局打算(V-groove, 聚集物,interposer等),也不须要非常的光纤(斜切光纤,二维光纤阵列等)。独一须要的是一个高功率的CO2激光器。该计划本钱低,不须要繁杂的工艺流程,希望达成大量量出产。目前实习中仍旧须要一个可睹光激光器,用于光纤和悬臂间的瞄准。若是能做到passive alignment, 将会是更大的先进。别的一点,若是是光纤阵列的耦合,工艺该何如鼎新?目前CO2出射的激光是通过透镜聚焦到SiO2和光纤的界面上,这大概是实习的一个难点。

  耦合器为悬臂梁型端面耦合器,悬臂正在芯片外凸出一一面,用于和光纤接连。通过CO2激光器的映照,SiO2悬臂和裸纤熔接正在一同,SiO2悬臂与光纤之间酿成巩固的化学键。SiO2剧烈摄取10.6um波长的光。实习中CO2激光器的功率为9W, 映照光阴为0.5s。

  实习中,他们测得熔接完之后,耦合损耗约为1.3dB, 此时再采用折射率为1.3825的胶水,耦合损耗可下降至1dB,如下图所示,

  这篇札记先容一篇近来的硅光封装开展。美邦罗切斯特大学酌量小组近来报道了一种新型的硅光芯片耦合封装计划 Optica 6, 549(2019),即应用熔接的措施将光纤与端面耦合器接连,耦合损耗为1dB。著作的链接为。

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