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td-lte此时待机模块电流相对通话状况可疏忽不计

时间:2019-03-10来源:未知 作者:admin点击:
采用全IP化的网络体系,只有PS域,可提供高速的数据业务,但对语音业务的支持考虑不足;相比较而言,传统的TD-SC/GSM网络已经成熟,可提供高质量的语音业务支持。而且TD-LTE的网络建设遵循渐进的过程,为保证语音业务的连续性,需要具备TD-LTE与传统TD-SCDMA

  采用全IP化的网络体系,只有PS域,可提供高速的数据业务,但对语音业务的支持考虑不足;相比较而言,传统的TD-SC/GSM网络已经成熟,可提供高质量的语音业务支持。而且TD-LTE的网络建设遵循渐进的过程,为保证语音业务的连续性,需要具备TD-LTE与传统TD-SCDMA/GSM(GP)网络间进行业务转换的能力。同时,为保证TD-LTE能够良好地为大家所认可,TD-LTE手机提供良好的话音业务也变得很迫切和重要。有鉴于此,根据终端形态不同,业界提出了两种不同的TD-LTE初期语音解决方案:CSFB方案和双待机方案,无论哪种方案,语音业务均由现有的2G/3G网络提供。CSFB方案以数据业务优先,工作在TD-LTE模式,发起语音业务时触发终端转换到2G/3G模式工作。而双待机方案能够在TD-LTE和2G/3G网络下同时待机,提供及时的数据和语音业务支持,获得更好的用户体验。

  TD-LTE/TD-SCDMA/GSM(GPRS)多模双待机手持终端是由支持TD-LTE的终端芯片,和支持GSM(GPRS)/TD-SCDMA的终端芯片共同组成的。其中,支持GSM(GPRS)/ TD-SCDMA的终端芯片为多模单待终端芯片,同一时间只工作在GSM(GPRS)模式或TD-SCDMA模式,支持TD-SCDMA HSPA功能;支持TD-LTE的终端芯片既可以是单模芯片,也可以是TD-LTE多模芯片,但仅工作在TD-LTE模式。

  TD-LTE/TD-SCDMA/GSM(GPRS)多模双待手持终端根据业务类型自动选择不同的通信模块:语音业务选择注册/建立在GSM(GPRS)/TD-SCDMA双模单待模块,数据业务优先选择注册/建立在TD-LTE模块,若多模双待手持终端离开TD-LTE覆盖区,或TD-LTE模式无法提供正常数据业务支持,则选择在GSM(GPRS)/TD-SCDMA双模单待模块注册/建立/重建数据业务。系统架构如图1所示。

  此多模双待终端的(U)SIM卡与普通单模终端相同,双待的两个模式依据各自的流程操作同一(U)SIM卡的相应参数区。当两个模式同时操作(U)SIM卡时,终端控制两个模块顺序操作,避免冲突。当一个模式操作某参数区时,若该参数区为两个模式共享参数区,终端能够控制一个模式的操作不影响另一模式下的数据。

  终端开机后,同时启动TD-SCDMA/GSM(GPRS)和TD-LTE两个模式分别搜索网络。

  (1)TD-SCDMA/GSM(GPRS)模式的开机选网和注册流程与现在的TD-SCDMA/GSM(GPRS)双模单待终端一致,终端优先选择TD-SCDMA网络,若TD-SCDMA无法提供服务,按普通双模单待终端流程选择GSM网络,正常驻留后,发起CS域注册流程,完成后进入TD-SCDMA/GSM(GPRS)待机状态(见图2)。

  (2)TD-LTE模式的开机选网流程与单模TD-LTE终端搜网机制一致,选择合适的TD-LTE小区正常驻留后,发起PS域注册流程,完成后进入TD-LTE待机状态。

  PS和CS域注册完成后,终端在TD-SCDMA/GSM(GPRS)模式和TD-LTE模式同时待机,并分别依据TD-SCDMA/GSM(GPRS)双模单待终端和TD-LTE终端的技术规范,完成两种模式空闲状态下的移动性管理。

  当处于空闲状态的终端离开TD-LTE网络覆盖区,或TD-LTE网络无法提供正常PS域业务支撑时,终端将分组域转移到正在待机的TD-SCDMA/GSM(GPRS)网络下注册。同时,终端控制TD-LTE模式进入慢搜索状态,或在判断TD-LTE无网络或异常情况下关闭TD-LTE模块。

  因多模双待终端两个模式同时工作,耗电比普通单待机终端高,且此时PS域业务可以在TD-SCDMA/GSM(GPRS)上进行,TD-LTE模式关闭后或进入慢搜索状态后,可以利用TD-SCDMA/GSM(GPRS)模式下获取的TD-LTE邻区信息来重新唤醒TD-LTE模块进行搜索,这样可以及时地发现LTE的覆盖区域同时又能够避免在无覆盖区无谓的搜索,可以达到省电和提高服务质量的双重目的。

  终端发起业务时首先判断该业务属于CS还是PS域,选择在相应PS或CS域注册成功的通信模式上发起业务建立。

  在双待机或TD-SCDMA单待机状态(TD-LTE丢失覆盖)下,终端支持CS和PS域业务的并发建立/通话过程。在GSM单待机状态(TD-LTE/TD-SCDMA丢失覆盖)下,终端对CS和PS域并发业务的支持取决于终端和网络是否支持双传输模式(DTM)。

  TD-LTE/TD-SCDMA/GSM(GPRS)多模双待手持数字移动终端的菜单中应包括模式选择菜单和开机默认模式菜单。其中,模式应至少包括多模双待模式,还可以包含TD-LTE单模模式,TD-SCDMA/GSM(GPRS)双模单待模式等。包含多种工作模式时,用户可任意选择工作模式并在不同的工作模式间切换。

  此类型终端工作在多模双待模式时会分别显示当前的电路域和分组域的工作模式为何种无线接入技术及对应的信号强度。如PS在TD-LTE模式注册,CS在TD-SCDMA模式注册,待机状态下,界面示TD-LTE模式(L)及其信号强度RSRP并指明PS域工作在该模式下,同时显示TD-SCDMA模式(H)及其信号强度RSCP并指明CS域工作在该模式下。

  TD-LTE正常待机状态下,终端优先选择在TD-LTE模式上发起PS域数据业务。业务保持过程中,若TD-LTE网络覆盖不好或丢失覆盖,数据业务在TD-LTE模式上中断,终端应将PS域转移到TD-SCDMA/GSM(GPRS)双模单待模式上注册,成功后在该模式上重建PS域数据业务连接。同时,终端控制关闭TD-LTE模式或进入慢搜索状态(见图3)。

  TD-SCDMA/GSM(GPRS)单待机状态(TD-LTE丢失覆盖或无法提供正常PS服务),终端选择在TD-SCDMA/GSM(GPRS)双模单待模式实现数据业务。业务保持过程中,若TD-LTE网络恢复正常覆盖或服务能力,终端应在现有网络完成业务或根据需要中断该数据业务连接,将PS域转移到TD-LTE模式上注册,成功后在TD-LTE模式上重建连接,恢复该数据业务。

  因多模双待方案针对的TD-LTE网络目前不支持语音业务,所有CS域业务只能在TD-SCDMA/GSM(GPRS)双模单待模式上进行,业务流程及行为同普通双模单待终端。

  终端发起VP业务时,判断此时CS注册的网络模式,若为TD-SCDMA,则在该模式上发起VP业务,若为GSM模式,则提示用户不支持该业务。

  VP业务保持过程中,若TD-SCDMA覆盖不好无法支撑VP业务,则依据双模单待终端的行为方式,将VP业务回退为语音业务继续进行。

  在终端技术实施方面,因采用单卡方案,(U)SIM卡部分与普通单模或双模单待终端相同,并且(U)SIM卡模块通常都已经具备冲突处理机制,可以防止出现两个模式同时访问(U)SIM的情况。双待机通信模块采用双芯片方案,各模式芯片本身较独立,不涉及主要芯片级的改动。

  在网络改造方面,因目前网络系统架构CS域和PS域工作网元相互独立,能够实现以不同的业务域触发不同模式的待机和工作,不需对网元做复杂的升级或改造。

  但此方案终端性能方面的表现很大程度上依赖于终端的具体实施,主要性能挑战在于以下几个方面:

  ●双待机状态:两种模式同时与两个网络保持同步,除终端底电流外,两种模式的芯片和射频模块耗电叠加。

  ●PS或CS域单业务保持状态:一种模式进入通话状态,另一种模式保持待机,此时待机模块电流相对通话状态可忽略不计,耗电无明显增加。

  ●PS和CS域业务并发保持状态:两种模式同时工作与网络保持交互,通话电流为两种模式的叠加。

  ●双待机状态:两种工作模式按照各自的DRX周期非连续接收网络下行数据,两种模式在同一时刻接收数据的概率较低,干扰影响基本可忽略。

  ●PS或CS域单业务保持状态:一种模式连续接收/发送,另一种模式仅非连续接收网络下行数据,干扰影响不明显。

  ●PS和CS域业务并发保持状态:两种模式同时接收/发送数据,一方的发送会对另一方的接收产生干扰,影响解调性能,从而严重影响PS或CS的业务质量。尤其是TD-LTE模式工作在2.3GHz,而TD-SCDMA模式工作在2GHz或GSM工作在800MHz(3倍频干扰)时,因频段间隔窄,干扰影响不能忽视,需要通过计算和测试验证进行分析。

  单卡多模双待机方案结合TD-LTE新技术和传统成熟2G/3G的网络覆盖优势,在提供高速数据业务的同时,提供高质量的语音业务,能够解决在TD-LTE的发展初期仅支持PS域业务的不足。多模双待终端是TD-LTE向全网IP发展过程中多样化TD-LTE终端形态中的一种,其在业务体验、网络改造和实施、产品可商用时间等方面具有较强的优势,在TD-LTE商用部署初期,尽早推动多模双待终端的实施和验证,有利于确保获得满意的用户体验。

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  ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

  和特点 具有线性度的肖特基二极管检波器 宽带50 Ω输入阻抗 具有最小斜率变化的精确响应范围:0.5 GHz至43.5 GHz 输入范围:−30 dBm至+15 dBm,参考50 Ω 出色的温度稳定性 2.1 V/VPEAK(输出电压根据输入峰值电压)斜率(10 GHz) 快速包络带宽: 40 MHz 快速输出上升时间: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装 产品详情 ADL6010是一款多功能微波频谱宽带包络检波器, 以单个易于使用的6引脚封装提供一流的精度和极低的功耗(8 mW)。 该器件输出的基带电压与射频(RF)输入信号的瞬时幅度成正比。 它的RF输入具有非常小的斜率变化,以便包络从0.5 GHz到43.5 GHz的输出传递函数检波器单元使用专利的八肖特基二极管阵列,后接新颖的线性化电路,可创建相对于输入电压幅度,总比例因子(或传递增益)标称值为?2.2的线本质上并不是一款功率响应器件,但以这种方式指定输入依然是很方便的。 因此,相对于50 Ω源输入阻抗,允许的输入功率范围为−30 dBm至+15 dBm。 对应的输入电压幅度为11.2 mV至1.8 V,产生范围从25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的准直流输出。平衡检波器拓扑...

  和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/µs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...

  HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

  和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...

  和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...

  HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

  和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...

  和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...

  和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...

  HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

  和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...

  HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

  和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...

  ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

  和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...

  和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...

  ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

  和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...

  ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

  和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...

  HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

  和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...

  ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

  和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...

  ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

  和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: 1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...

  和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...

  HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz

  和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...

  和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...

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